MDD BZX84B30
" (6431)BZX84B2V4至BZX84B39 SOT-23塑料封装二极管
本资料介绍了BZX84B2V4至BZX84B39系列的稳压二极管。这些二极管采用平面芯片结构,具有300毫瓦的最大功率耗散能力,提供从5.1伏到20伏的齐纳电压选项。它们以超小型表面贴装封装形式存在,适用于各种电子电路保护和应用。
more version(s)
BZX84B2V4-BZX84B39齐纳二极管
该资料详细介绍了BZX84B2V4-BZX84B39系列稳压二极管的产品特性、电气特性、典型特性和封装尺寸。这些二极管具有不同的稳压电压和功率耗散能力,适用于各种电子电路中的电压稳定。
BZX84B30VL Zener Diode
more version(s)
BZX84B30VLY Zener Diode Data sheet
BZX84B30VLYFH Zener Diode Data sheet
BZX84B30VLFH Zener Diode
BZX84B30VLFH Zener Diode (AEC-Q101 qualified)
BZX84B2V4 THRU BZX84B36 Zener Diodes
more version(s)
BZX84B2V4 THRU BZX84B36 Zener Diodes DATA SHEET
BZX84B2V4 ... BZX84B47 | 2BZX84B3V0 ... 2BZX84B47 SMD Planar Zener Diodes
more version(s)
ELECTRICAL STATIC DISCHARGE IMMUNITY Zener diode BZX84B30VLT116
ELECTRICAL STATIC DISCHARGE IMMUNITY Zener diode BZX84B30VLFHT116
BZX84B3V3LT1G Material Composition Declaration
SZBZX84B3V3LT1G材料成分声明
本资料为Onsemi公司关于其产品中物质声明的文件,包括产品材料成分、环保合规性、RoHS指令符合性等信息。文件详细列出了产品中使用的各种材料及其含量,并声明产品符合RoHS指令要求。
ELECTRICAL STATIC DISCHARGE IMMUNITY Zener diode BZX84B33VLT116
ELECTRICAL STATIC DISCHARGE IMMUNITY Zener diode BZX84B36VLT116
ELECTRICAL STATIC DISCHARGE IMMUNITY Zener diode BZX84B36VLFHT116
ELECTRICAL STATIC DISCHARGE IMMUNITY Zener diode BZX84B33VLFHT116
MDD 品牌 SOD123FL/SMA/SMB/SMC 品质提升的通告(Declaration For MDD Brand SOD123FL/SMA/SMB/SMC Package Quality Improvement)
**MDD品牌SOD123FL/SMA/SMB/SMC封装产品品质提升通告** MDD品牌宣布对其SOD123FL/SMA/SMB/SMC封装产品进行品质提升,由原来的两片夹焊工艺改为三片式焊接工艺,以提高产品可靠性。产品电性性能保持不变,同时增强抗温度湿度变化后的应力能力。若客户需PCN申请,请及时联系销售人员。若2024年11月15日前无需求,将切换至更可靠的CLIP工艺产品。
MDD 品牌桥堆产品丝印调整的通告(Declaration on Marking Content Adjustment of MDD Bridge Rectifier Products)
MDD品牌宣布对桥堆产品丝印内容进行调整,以提升产品质量控制和产品追溯性。新标准将于2025年1月1日起实施,新丝印将包含更详细的生产批次信息。同时,MDD提醒合作伙伴注意新旧丝印产品的交替交货过渡,并提醒有PCN申请需求的客户及时联系销售人员。
MDD/TSCTVS对照表
本资料为MDD/TSC TVS(瞬态电压抑制器)跨参考列表,详细列出了多种型号的TVS器件的参数,包括峰值功率耗散、击穿电压、最大反向漏电流、反向 standoff 电压、峰值脉冲电流、最大钳位电压、工作温度范围、正向浪涌电流、封装类型等。资料旨在为工程师提供TVS器件的选型和比较依据。
Electronic Mall